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阿部 弘亨; 園田 健*; 木下 智見*; 楢本 洋
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 127-128, p.176 - 180, 1997/00
被引用回数：11 パーセンタイル：65.44(Instruments & Instrumentation)770K~1070K程度の高温でイオン照射により転位ループが形成された。電子照射の場合と比較して、低線量で転位ループが観察され、密度は照射量と共に増加し、高線量で一定値をとる傾向を示した。また転位ループ径は、照射時間に対して1/2~2/3乗(900K以上)、
1/4乗(900K以下)に比例し、電子照射と比較して成長速度が小さいことがわかった。カスケード内部あるいはその周辺部では点欠陥が密集しているため、転位ループの核形成頻度が高くなり、そのために転位ループの成長に寄与する点欠陥密度が減少し、成長速度は低くなると考えられる。
阿部 弘亨; 楢本 洋; 岩瀬 彰宏; 木下 智見*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 127-128, p.681 - 684, 1997/00
被引用回数：29 パーセンタイル：88.18(Instruments & Instrumentation)数100K程度までの温度において、イオン照射により黒鉛の非晶質化が誘起された。非晶質化線量の温度依存性から400Kを境にして2つのステージの存在が明らかになった。400K以下では非晶質化線量はイオン種・エネルギーに依存せず、約0.2dpaで非晶質化した。400K以上では非晶質化線量はイオン種・エネルギー・線束密度に依存して増加し、ある温度(T
)以上では非晶質化しなかった。Tは入射粒子質量の増加、エネルギーの減少、線束密度の増加に伴い高くなるが、質量数20以上の重イオン照射では次第に飽和傾向を示した。860K以上では照射条件によらず非晶質化は観察されなかった。黒鉛中のカスケードは原子配列の乱れた領域を形成し、その蓄積によって非晶質化が進行する。また400K以上のステージは黒鉛のC面間に蓄積した炭素分子クラスターが分裂し空孔と再結合する温度に相当し、このクラスターの生成速度、空間分布、安定性が非晶質化や再結晶化を律速すると考えられる。
阿部 弘亨; 山本 春也; 楢本 洋
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 127-128, p.170 - 175, 1997/00
被引用回数：27 パーセンタイル：87.08(Instruments & Instrumentation)室温以下の低温における重イオン照射によってAl
O
の非晶質化が誘起された。液体窒素温度では600keV、900keV Xe、600keV Krイオン照射で非晶質化したが、600keV Ar、300keV Oイオン照射では非晶質化は確認されなかった。さらに900keV Xeイオン照射下での非晶質化線量は90~150Kで約3dpa、160~220Kで約8dpaであった。220K以上では非晶質化線量にイオンフラックス依存性が観察され、低フラックスでは非晶質相と結晶相の混相が形成され、完全には非晶質化せず、また微結晶の形成も確認された。また高フラックスでは非晶質化線量は250K近傍から急増し、それより高温で非晶質・結晶の混相が形成された。非晶質化はイオン照射によるカスケード損傷の蓄積によって生じていると考えられる。一方で160~220Kでは、イオン照射によるカスケード内部での点欠陥の回復が生じ、非晶質化線量の増加が観察されたものと解釈される。また220K以上ではカスケード間の点欠陥の拡散が励起され、非晶質領域の回復に寄与していると考えられる。
-AlO implanted with vanadium ions楢本 洋; 青木 康; 山本 春也; 阿部 弘亨
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 127-128, p.599 - 602, 1997/00
被引用回数：12 パーセンタイル：67.87(Instruments & Instrumentation)原研に設置したデュアルビーム解析システムの研究成果を中心に発表する。典型的な照射条件として、室温及び低温(36K、100K)での欠陥形成過程と、その後の熱処理過程での欠陥回復と注入元素の振舞をイオンビーム解析法により詳細に調べた。主な成果は以下の通りである。1)室温及び低温での照射効果の見かけ上の差異は統一的に記述できる。低温では、欠陥生成率が高い深度から非晶質化がはじまる。高温では、これら欠陥の動的回復のため欠陥は蓄積されず、注入元素が存在するより深い位置での注入元素と欠陥の複合体により結晶格子の乱れが存在するが、注入量にも限度があるため非晶質化しない。2)回復過程については、室温での照射では結晶性は保持され、熱処理によって複合参加物を形成する。一方低温照射では、非晶質状態からの異種物質相の核形成が主となる。
